SDY-4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器. 仪器以大规模集成电路为核心部件,应用模拟和数字控制技术,配备微型电动升降测试台:采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。 本仪器适用于测量半导体晶片电阻率,以及扩散层材料、离子注入层、异型外延层的方块电阻。也可测量在玻璃等绝缘材料上形成的器件的导电薄膜方块电阻。
技术指标 1 测量范围: 电阻率:0.001-200Ω.cm(可扩展); 方块电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展); 2 可测晶片直径(最大):100mm/150mm; 3 恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调.误差 <+/-0.3%>4 数字电压表: 量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV 显示:四位半红色发光管数字显示;极性、小数点、超量程自动显示。 输入阻抗>1000MΩ; 精度:+/-0.1%. 5 最大电阻测量误差(按JJG508-87进行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%+/-1字. 6 四探针探头: 间距:1+/-0.01mm;针间绝缘电阻≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3% 探针压力:TZT-9C/9D 5-8 牛顿(总力) 7 整机不确定度:(用硅标样片测试)≤5% (0.01-180Ω.cm) 8 外形尺寸:电气主机:360mm×320mm×100mm;测试台:260mm×154mm×250mm 9 数据处理器:300mm×210mm×105mm 10 仪器重量:电气主机:约4kg;测试台:约10kg 11 测试环境:温度23+/-2℃;相对湿度≤65%;无高频干扰;无强光照射。 |